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参数资料
| 型号： | AGRB10E |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | AGRB10E |
Agere Systems Inc.
5
Preliminary Data Sheet
AGRB10E
February 2004
10 W, 1.0 GHz—2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Electrical Characteristics (continued)
Recommended operating conditions apply unless otherwise specified: TC = 30 °C.
Table 9. RF Characteristics (2400 MHz—2483 MHz)
1. Across band, 2400 MHz—2483 MHz.
Table 10. RF Characteristics (2535 MHz—2665 MHz)
1. Across band, 2535 MHz—2665 MHz.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (in Agere Systems Supplied Test Fixture)1
Power Gain (VDS = 28 V, POUT = 3 W, IDQ = 115 mA)
GPS
—14
—
dB
Drain Efficiency (VDS = 28 V, POUT = P1dB, IDQ = 115 mA)
η
—TBD
—
%
Third-order Intermodulation Distortion
(100 kHz spacing, VDS = 28 V, POUT = 10 WPEP, IDQ = 115 mA)
IM3
—
–TBD
—
dBc
Output Power (VDS = 28 V, 1 dB gain compression, IDQ = 115 mA)
P1dB
—
10
—
W
Input Return Loss
IRL
—
–10
—
dB
Ruggedness
(VDS = 28 V, POUT = 10 W, IDQ = 115 mA, VSWR = 10:1, all
angles)
ψ
No degradation in output power.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (in Agere Systems Supplied Test Fixture)1
Power Gain (VDS = 28 V, POUT = 3 W, IDQ = 115 mA)
GPS
—TBD
—
dB
Drain Efficiency (VDS = 28 V, POUT = P1dB, IDQ = 115 mA)
η
—TBD
—
%
Third-order Intermodulation Distortion
(100 kHz spacing, VDS = 28 V, POUT = 10 WPEP, IDQ = 115 mA)
IM3
—
–TBD
—
dBc
Output Power (VDS = 28 V, 1 dB gain compression, IDQ = 115 mA)
P1dB
—
10
—
W
Input Return Loss
IRL
—
–10
—
dB
Ruggedness
(VDS = 28 V, POUT = 10 W, IDQ = 115 mA, VSWR = 10:1, all
angles)
ψ
No degradation in output power.
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参数描述 |
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