- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录393 > ALD1101BPAL (Advanced Linear Devices Inc)MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ALD1101BPAL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 10µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
CERDIP-8 PACKAGE DRAWING
8 Pin CERDIP Package
E E 1
Millimeters
Inches
Dim
A
Min
3.55
Max
5.08
Min
0.140
Max
0.200
D
A 1
b
b 1
1.27
0.97
0.36
2.16
1.65
0.58
0.050
0.038
0.014
0.085
0.065
0.023
s
A 1
A
C
D-8
E
E 1
0.20
--
5.59
7.73
0.38
10.29
7.87
8.26
0.008
--
0.220
0.290
0.015
0.405
0.310
0.325
L
L 2
L 1
e
2.54 BSC
0.100 BSC
b
b 1
e 1
L
7.62 BSC
3.81
5.08
0.300 BSC
0.150 0.200
e
L 1
L 2
S
?
3.18
0.38
--
0 °
--
1.78
2.49
15 °
0.125
0.015
--
0 °
--
0.070
0.098
15 °
C
e 1
?
ALD1101A/ALD1101B/ALD1101
Advanced Linear Devices
8 of 8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ALD1102BPAL | MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8PDIP |
| ALD1103PBL | MOSFET 2N+2P 13.2V 14PDIP |
| ALD1105PBL | MOSFET 2N+2P 13.2V 14PDIP |
| ALD1106SBL | MOSFET 4N-CH 13.2V QUAD 14SOIC |
| ALD1107SBL | MOSFET 4P-CH 13.2V QUAD 14SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD1101BSAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET 10.6 500mW 0.7V 10Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1101DA | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR |
| ALD1101MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 13.2V V(BR)DSS | TO-99 |
| ALD1101PA | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1101PAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。