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参数资料
| 型号： | ALD1103PBL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N+2P 13.2V 14PDIP |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40mA，16mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 10µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 14-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1008 |
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Drain-source voltage, V DS
Gate-source voltage, V GS
10.6V
10.6V
Power dissipation
Operating temperature range
Storage temperature range
Lead temperature, 10 seconds
SBL, PBL packages
DB package
500mW
0 ° C to +70 ° C
-55 ° C to +125 ° C
-65 ° C to +150 ° C
+260 ° C
CAUTION: ESD Sensitive Device. Use static control procedures in ESD controlled environment.
OPERATING ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T A = 25 ° C unless otherwise specified
N - Channel
Test
P - Channel
Test
Parameter
Symbol Min Typ Max
Unit
Conditions
Min Typ Max
Unit
Conditions
Gate Threshold V T
0.4
0.7
1.0
V
I DS = 10 μ A V GS = V DS
-0.4
-0.7
-1.2
V
I DS = -10 μ A V GS = V DS
Voltage
Offset Voltage
V OS
10
mV
I DS = 100 μ A V GS = V DS
10
mV
I DS = -100 μ A V GS = V DS
V GS1 - V GS2
Gate Threshold
Temperature TC VT
-1.2
mV/ ° C
-1.3
mV/ ° C
Drift
On Drain
I DS (ON)
25
40
mA
V GS = V DS = 5V
-8
-16
mA
V GS = V DS = -5V
Current
Trans-.
G fs
5
10
mmho
V DS = 5V I DS = 10mA
2
4
mmho
V DS = -5V I DS = -10mA
conductance
Mismatch
? G fs
0.5
%
0.5
%
Output
G OS
200
μ mho
V DS = 5V I DS = 10mA
500
μ mho
V DS = -5V I DS = -10mA
Conductance
Drain Source
R DS(ON)
50
75
?
V DS = 0.1V V GS = 5V
180
270
?
V DS = -0.1V V GS = -5V
ON Resistance
Drain Source
ON Resistance ? R DS(ON)
0.5
%
V DS = 0.1V V GS = 5V
0.5
%
V DS = -0.1V V GS = -5V
Mismatch
Drain Source
Breakdown
BV DSS
12
V
I DS = 10 μ A V GS =0V
-12
V
I DS = -10 μ A V GS =0V
Voltage
Off Drain
Current
Gate Leakage
Current
Input
I DS(OFF)
I GSS
C ISS
0.1
1
6
4
4
50
10
10
nA
μ A
pA
nA
pF
V DS =12V I GS = 0V
T A = 125 ° C
V DS = 0V V GS =12V
T A = 125 ° C
0.1
1
6
4
4
50
10
10
nA
μ A
pA
nA
pF
V DS = -12V V GS = 0V
T A = 125 ° C
V DS = 0V V GS =-12V
T A = 125 ° C
Capacitance
ALD1103
Advanced Linear Devices
2 of 9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD1103SB | 功能描述:MOSFET Dual P&N-Ch. Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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