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参数资料
| 型号： | ALD1103PBL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N+2P 13.2V 14PDIP |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40mA，16mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 10µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 14-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1008 |
TYPICAL N-CHANNEL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
OUTPUT CHARACTERISTICS
8
LOW VOLTAGE OUTPUT
CHARACTERISTICS
160
V BS = 0V
T A = 25 ° C
V GS = 12V
10V
4
V BS = 0V
T A = 25 ° C
V GS = 12V
6V
120
80
40
0
8V
6V
4V
2V
0
-4
-8
4V
2V
0
2
4
6
8
10
12
-160
-80
0
80
160
DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
FORWARD TRANSCONDUCTANCE
DRAIN -SOURCE VOLTAGE (mV)
TRANSFER CHARACTERISTIC
1 x10 5
vs. DRAIN-SOURCE VOLTAGE
20
WITH SUBSTRATE BIAS
5 x10 4
V BS = 0V
f = 1KHz
I DS = 10mA
15
V GS = V DS
T A = 25 ° C
2 x10 4
T A = +125 ° C
T A = +25 ° C
V BS = 0V
-2V
-4V
1 x10 4
5 x10 3
10
-6V
-8V
-10V
2 x10 3
5
-12V
1 x10 3
I DS = 1mA
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
DRAIN -SOURCE VOLTAGE (V)
R DS (ON) vs. GATE - SOURCE VOLTAGE
GATE - SOURCE VOLTAGE (V)
OFF DRAIN - CURRENT vs.
10000
1000
100
V DS = 0.2V
V BS = 0V
T A = +125 ° C
10 X 10 -6
10 X 10 -9
TEMPERATURE
V DS = +12V
V GS = V BS = 0V
10
T A = +25 ° C
10 X 10 -12
0
2
4
6
8
10
12
-50
-25
0
+25
+50
+75
+100 +125
GATE SOURCE VOLTAGE (V)
TEMPERATURE ( ° C)
ALD1103
Advanced Linear Devices
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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