参数资料
型号: ALD1106PBL
厂商: Advanced Linear Devices Inc
文件页数: 7/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET 4N-CH 13.2V QUAD 14PDIP
标准包装: 50
FET 型: 4 N 通道(半桥)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 13.2V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.8mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 350 欧姆 @ 5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 1µA
功率 - 最大: 500mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: 14-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 14-PDIP
包装: 管件
其它名称: 1014-1012
PDIP-8 PACKAGE DRAWING
8 Pin Plastic DIP Package
Millimeters
Inches
S
D
E
A2
A 1
A
L
E1
Dim
A
A 1
A 2
b
b 1
c
D-8
E
E 1
e
e 1
Min
3.81
0.38
1.27
0.89
0.38
0.20
9.40
5.59
7.62
2.29
7.37
Max
5.08
1.27
2.03
1.65
0.51
0.30
11.68
7.11
8.26
2.79
7.87
Min
0.105
0.015
0.050
0.035
0.015
0.008
0.370
0.220
0.300
0.090
0.290
Max
0.200
0.050
0.080
0.065
0.020
0.012
0.460
0.280
0.325
0.110
0.310
b
b 1
e
L
S-8
?
2.79
1.02
0 °
3.81
2.03
15 °
0.110
0.040
0 °
0.150
0.080
15 °
c
e 1
?
ALD1106/ALD1116
Advanced Linear Devices
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