参数资料
型号: ALD1106PBL
厂商: Advanced Linear Devices Inc
文件页数: 9/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET 4N-CH 13.2V QUAD 14PDIP
标准包装: 50
FET 型: 4 N 通道(半桥)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 13.2V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.8mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 350 欧姆 @ 5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 1µA
功率 - 最大: 500mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: 14-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 14-PDIP
包装: 管件
其它名称: 1014-1012
SOIC-14 PACKAGE DRAWING
14 Pin Plastic SOIC Package
Millimeters
Inches
S (45 ° )
E
Dim
A
A 1
b
C
D-14
E
Min
1.35
0.10
0.35
0.18
8.55
3.50
Max
1.75
0.25
0.45
0.25
8.75
4.05
Min
0.053
0.004
0.014
0.007
0.336
0.140
Max
0.069
0.010
0.018
0.010
0.345
0.160
e
1.27 BSC
0.050 BSC
D
A
H
L
?
S
5.70
0.60
0 °
0.25
6.30
0.937
8 °
0.50
0.224
0.024
0 °
0.010
0.248
0.037
8 °
0.020
e
S (45 ° )
L
H
b
A 1
C
?
ALD1106/ALD1116
Advanced Linear Devices
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