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参数资料
| 型号： | ALD1107SBL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 4P-CH 13.2V QUAD 14SOIC |
| 标准包装： | 56 |
| FET 型： | 4 P 通道（半桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1800 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1015 |
TYPICAL APPLICATIONS
CURRENT SOURCE MIRROR
CURRENT SOURCE WITH GATE CONTROL
V+ = +5V
1/2 ALD1107
or ALD1117
1/2 ALD1107
or ALD1117
V+ = +5V
V+ = +5V
I SET
R SET
Q 3
Q 4
Q 3
Q 4
I SOURCE
Digital Logic Control
I SET
R SET
I SOURCE
of Current Source
Q 1
1/2 ALD1106
or ALD1116
Q 1 , Q 2 : N - Channel MOSFET
Q 2
I SOURCE = I SET
= V+ -Vt
R SET
= ~
4
R SET
ON
OFF
Q 1
1/4 ALD1106
or 1/2 ALD1116
Q 1
: N - Channel MOSFET
Q 3 , Q 4 : P - Channel MOSFET
DIFFERENTIAL AMPLIFIER
Q 3, Q 4 : P - Channel MOSFET
CURRENT SOURCE MULTIPLICATION
V+
1/2 ALD1107
or ALD1117
V+ = +5V
Q 3
PMOS PAIR
Q 4
I SET
R SET
I SOURCE = I SET x N
V IN +
Q 1
Q 2
NMOS PAIR
V OUT
V IN -
Q SET
Q 1
Q 2
Q 3
Q N
1/2 ALD1106
or ALD1116
Current
Source
Q 1 , Q 2 : N - Channel MOSFET
Q 3 , Q 4 : P - Channel MOSFET
Q SET, Q 1 ..Q N : ALD1106 or ALD1116
N - Channel MOSFET
ALD1107/ALD1117
Advanced Linear Devices
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PDF描述 |
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参数描述 |
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