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参数资料
| 型号： | ALD1107SBL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 4P-CH 13.2V QUAD 14SOIC |
| 标准包装： | 56 |
| FET 型： | 4 P 通道（半桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1800 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1015 |
TYPICAL APPLICATIONS (cont.)
BASIC CURRENT SOURCES
N- CHANNEL CURRENT SOURCE
V+ = +5V
P- CHANNEL CURRENT SOURCE
V+ = +5V
1/2 ALD1107
I SOURCE
I SET
R SET
8
or ALD1117
7
Q 2 8
5
6
2
3
Q 1
Q 3
3
2
6
5
Q 4
7
1
I SOURCE
1/2 ALD1106
or ALD1116
I SET
R SET
V+ - 1.0 ~
I SOURCE = I SET =
V+ - Vt
R SET
= ~
R SET
=
4
R SET
Q 1, Q 2 : N - Channel MOSFET
Q 3 , Q 4 : P - Channel MOSFET
CASCODE CURRENT SOURCES
V+ = +5V
V+ = +5V
ALD1107
I SET
R SET
I SOURCE
Q 4
Q 2
Q 3
Q 1
Q 1
Q 3
Q 2
Q 4
ALD1106
I SET
R SET
I SOURCE
I SOURCE = I SET =
V+ - 2Vt
R SET
= ~
3
R SET
Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 : N - Channel MOSFET
(ALD1101 or ALD1103)
Q1, Q2, Q3, Q4: P - Channel MOSFET
(ALD1102 or ALD1103)
ALD1107/ALD1117
Advanced Linear Devices
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PDF描述 |
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参数描述 |
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