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参数资料
| 型号： | ALD110802PCL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | EPAD® |
| FET 型： | 4 N 通道（半桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 10.6V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 欧姆 @ 4.2V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 220mV @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 16-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 16-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1020 |
SOIC-16 PACKAGE DRAWING
16 Pin Plastic SOIC Package
E
Millimeters
Inches
Dim
Min
Max
Min
Max
S (45 ° )
A
A 1
b
C
D-16
1.35
0.10
0.35
0.18
9.80
1.75
0.25
0.45
0.25
10.00
0.053
0.004
0.014
0.007
0.385
0.069
0.010
0.018
0.010
0.394
D
E
e
3.50
4.05
1.27 BSC
0.140 0.160
0.050 BSC
H
L
5.70
0.60
6.30
0.937
0.224
0.024
0.248
0.037
A
?
0 °
8 °
0 °
8 °
e
A 1
S
0.25
0.50
0.010
0.020
b
S (45 ° )
L
H
C
?
ALD110802/ALD110902
Advanced Linear Devices
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD110802SC | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY |
| ALD110802SCL | 功能描述:MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD110804 | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY |
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| ALD110804PC | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY |
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