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参数资料
| 型号： | ALD110802SCL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC |
| 标准包装： | 48 |
| 系列： | EPAD® |
| FET 型： | 4 N 通道（半桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 10.6V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 欧姆 @ 4.2V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 220mV @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1021 |
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
OUTPUT CHARACTERISTICS
DRAIN-SOURCE ON RESISTANCE
vs. DRAIN-SOURCE ON CURRENT
5
T A = +25 ° C
VGS-VGS(TH)=+5V
2500
TA = 25 ° C
4
VGS-VGS(TH)=+4V
2000
3
2
VGS-VGS(TH)=+3V
1500
1000
VGS = VGS(TH) +4V
VGS-VGS(TH)=+2V
1
VGS-VGS(TH)=+1V
500
VGS = VGS(TH) +6V
0
0
2
4
6
8
10
0
10
100
1000
10000
20
DRAIN-SOURCE ON VOLTAGE (V)
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
2.5
DRAIN-SOURCE ON CURRENT ( μ A)
TRANSCONDUCTANCE vs.
AMBIENT TEMPERATURE
15
T A = 25 ° C
V DS = +10V
VGS(TH) = -3.5V
VGS(TH) = -1.3V
VGS(TH) = -0.4V
2.0
1.5
10
5
VGS(TH) = 0.0V
VGS(TH) = +0.2V
VGS(TH) = +1.4V
1.0
0.5
0
VGS(TH) = +0.8V
0
-4
-2
0
2
4
6
8
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
SUBTHRESHOLD FORWARD TRANSFER
CHARACTERISTICS
AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
SUBTHRESHOLD FORWARD TRANSFER
CHARACTERISTICS
100000
10000
1000
TA = +25 ° C
VDS=+0.1V
VGS(TH)=-1.3V
VGS(TH)=0.0V
1000
100
V DS =0.1V
Slope ~ = 110mV/decade
100
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
VGS(TH)=-3.5V
VGS(TH)=+0.2V
VGS(TH)=+0.8V
0.01
V GS(th)
V GS(th)
V GS(th)
V GS(th)
V GS(th)
V GS(th)
-4
-3
-2
-1
0
1
2
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
ALD110802/ALD110902
Advanced Linear Devices
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