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参数资料
| 型号： | ALD110802SCL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC |
| 标准包装： | 48 |
| 系列： | EPAD® |
| FET 型： | 4 N 通道（半桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 10.6V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 欧姆 @ 4.2V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 220mV @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1021 |
PDIP-16 PACKAGE DRAWING
16 Pin Plastic DIP Package
E
E1
Millimeters
Inches
Dim
A
A 1
A 2
b
b 1
c
Min
3.81
0.38
1.27
0.89
0.38
0.20
Max
5.08
1.27
2.03
1.65
0.51
0.30
Min
0.105
0.015
0.050
0.035
0.015
0.008
Max
0.200
0.050
0.080
0.065
0.020
0.012
S
D
D-16
E
E 1
18.93
5.59
7.62
21.33
7.11
8.26
0.745
0.220
0.300
0.840
0.280
0.325
A 2
A 1
A
L
e
e 1
L
2.29
7.37
2.79
2.79
7.87
3.81
0.090
0.290
0.110
0.110
0.310
0.150
b
e
S-16
?
0.38
0 °
1.52
15 °
0.015
0 °
0.060
15 °
b 1
c
e 1
?
ALD110802/ALD110902
Advanced Linear Devices
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PDF描述 |
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参数描述 |
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