参数资料
型号: ALD110902SAL
厂商: Advanced Linear Devices Inc
文件页数: 9/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC
产品目录绘图: 8-Pin SOIC Package
标准包装: 50
系列: EPAD®
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 10.6V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 500 欧姆 @ 4.2V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 220mV @ 1µA
功率 - 最大: 500mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
其它名称: 1014-1035
PDIP-16 PACKAGE DRAWING
16 Pin Plastic DIP Package
E
E1
Millimeters
Inches
Dim
A
A 1
A 2
b
b 1
c
Min
3.81
0.38
1.27
0.89
0.38
0.20
Max
5.08
1.27
2.03
1.65
0.51
0.30
Min
0.105
0.015
0.050
0.035
0.015
0.008
Max
0.200
0.050
0.080
0.065
0.020
0.012
S
D
D-16
E
E 1
18.93
5.59
7.62
21.33
7.11
8.26
0.745
0.220
0.300
0.840
0.280
0.325
A 2
A 1
A
L
e
e 1
L
2.29
7.37
2.79
2.79
7.87
3.81
0.090
0.290
0.110
0.110
0.310
0.150
b
e
S-16
?
0.38
0 °
1.52
15 °
0.015
0 °
0.060
15 °
b 1
c
e 1
?
ALD110802/ALD110902
Advanced Linear Devices
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PDF描述
B32923D3155K FILM CAP 1.5UF 10% 305V MKP X2
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参数描述
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ALD110904PAL 功能描述:MOSFET Dual N-Channel EPAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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