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参数资料
| 型号： | ALD1117PAL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8PDIP |
| 产品目录绘图： | 8-Pin Plastic Dip Package |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1800 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1048 |
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Drain-source voltage, V DS
Gate-source voltage, V GS
-10.6V
-10.6V
Power dissipation
Operating temperature range
Storage temperature range
Lead temperature, 10 seconds
SAL, PAL, SBL, PBL packages
DA, DB packages
500mW
0 ° C to +70 ° C
-55 ° C to +125 ° C
-65 ° C to +150 ° C
+260 ° C
CAUTION: ESD Sensitive Device. Use static control procedures in ESD controlled environment.
OPERATING ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T A = 25 ° C unless otherwise specified
ALD1107
ALD1117
Test
Parameter
Gate Threshold
Symbol
V T
Min
-0.4
Typ
-0.7
Max
-1.0
Min
-0.4
Typ
-0.7
Max
-1.0
Unit
V
Conditions
I DS = -1.0 μ A V GS = V DS
Voltage
Offset Voltage
V OS
2
10
2
10
mV
I DS = -10 μ A V GS = V DS
V GS1 -V GS2
Gate Threshold
Temperature
TC VT
-1.3
-1.3
mV/ ° C
Drift 2
On Drain
I DS (ON)
-1.3
-2
-1.3
-2
mA
V GS = V DS = -5V
Current
Transconductance
Mismatch
Output
G IS
? G fs
G OS
0.25
0.67
0.5
40
0.25
0.67
0.5
40
mmho V DS = -5V I DS = -10mA
%
μ mho
V DS = -5V I DS = -10mA
Conductance
Drain Source
R DS (ON)
1200
1800
1200
1800
?
V DS = -0.1V V GS = -5V
On Resistance
Drain Source
On Resistance
? R DS (ON)
0.5
0.5
%
V DS = -0.1V V GS = -5V
Mismatch
Drain Source
Breakdown
BV DSS
-12
-12
V
I DS = -1.0 μ A V GS = 0V
Voltage
Off Drain
Current 1
Gate Leakage
Current
Input
I DS (OFF)
I GSS
C ISS
10
0.1
1
400
4
10
1
3
10
0.1
1
400
4
10
1
3
pA
nA
pA
nA
pF
V DS = -12V V GS = 0V
T A = 125 ° C
V DS = 0V V GS = -12V
T A = 125 ° C
Capacitance 2
Notes:
1
2
Consists of junction leakage currents
Sample tested parameters
ALD1107/ALD1117
Advanced Linear Devices
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD1117SA | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1117SAL | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD111910MAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD111910PAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD111910SAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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