- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18250 > ALD1117PAL (Advanced Linear Devices Inc)MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8PDIP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ALD1117PAL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8PDIP |
| 产品目录绘图： | 8-Pin Plastic Dip Package |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1800 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1048 |
TYPICAL APPLICATIONS
CURRENT SOURCE MIRROR
CURRENT SOURCE WITH GATE CONTROL
V+ = +5V
1/2 ALD1107
or ALD1117
1/2 ALD1107
or ALD1117
V+ = +5V
V+ = +5V
I SET
R SET
Q 3
Q 4
Q 3
Q 4
I SOURCE
Digital Logic Control
I SET
R SET
I SOURCE
of Current Source
Q 1
1/2 ALD1106
or ALD1116
Q 1 , Q 2 : N - Channel MOSFET
Q 2
I SOURCE = I SET
= V+ -Vt
R SET
= ~
4
R SET
ON
OFF
Q 1
1/4 ALD1106
or 1/2 ALD1116
Q 1
: N - Channel MOSFET
Q 3 , Q 4 : P - Channel MOSFET
DIFFERENTIAL AMPLIFIER
Q 3, Q 4 : P - Channel MOSFET
CURRENT SOURCE MULTIPLICATION
V+
1/2 ALD1107
or ALD1117
V+ = +5V
Q 3
PMOS PAIR
Q 4
I SET
R SET
I SOURCE = I SET x N
V IN +
Q 1
Q 2
NMOS PAIR
V OUT
V IN -
Q SET
Q 1
Q 2
Q 3
Q N
1/2 ALD1106
or ALD1116
Current
Source
Q 1 , Q 2 : N - Channel MOSFET
Q 3 , Q 4 : P - Channel MOSFET
Q SET, Q 1 ..Q N : ALD1106 or ALD1116
N - Channel MOSFET
ALD1107/ALD1117
Advanced Linear Devices
4 of 11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3479-Z-E1-AZ | MOSFET 100V N-CH TO-263 |
| MLW3018-00-LC-1A | SWITCH ROCKER SPDT 5A 125V |
| KG462A2XXA21XX | SWITCH ROCKER DPDT 15A 12V |
| 425F11A025M0000 | CRYSTAL 25.0 MHZ 10PF SMD |
| FXO-LC526R-64 | OSC 64 MHZ 2.5V LVDS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD1117SA | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1117SAL | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD111910MAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD111910PAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD111910SAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。