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参数资料
| 型号： | AM29DS323DT110EI |
| 厂商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | Hex Inverters 14-TSSOP -40 to 85 |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 1.8V PROM, 110 ns, PDSO48 |
| 封装： | MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件页数： | 35/53页 |
| 文件大小： | 985K |
| 代理商： | AM29DS323DT110EI |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页当前第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页
40
Am29DS323D
P R E L I M I NARY
AC CHARACTERISTICS
Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Parameter
110
120
JEDEC
Std
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
110
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ASO
Address Setup Time to OE# low during toggle bit polling
Min
15
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
50
ns
t
AHT
Address Hold Time From CE# or OE# high
during toggle bit polling
Min
0
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OEPH
Output Enable High during toggle bit polling
Min
20
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
50
ns
t
WHDL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
t
SR/W
Latency Between Read and Write Operations
Min
0
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Byte
Typ
9
s
Word
Typ
13
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Programming Operation,
Word or Byte (Note 2)
Typ
7
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
2
sec
t
VCS
V
CC Setup Time (Note 1)
Min
50
s
t
RB
Write Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Min
90
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29DS323DT120EI | Hex Inverters 14-TSSOP -40 to 85 |
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| AM29DS323DT120 | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
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参数描述 |
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