- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录366430 > AM29F160DT75FC (ADVANCED MICRO DEVICES INC) Triple 3-Input Positive-AND Gates 14-TSSOP -40 to 85 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AM29F160DT75FC |
| 厂商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | Triple 3-Input Positive-AND Gates 14-TSSOP -40 to 85 |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封装： | REVERSE, MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件页数： | 39/46页 |
| 文件大小： | 914K |
| 代理商： | AM29F160DT75FC |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页当前第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页
38
Am29F160D
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use OE# or CE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within the
erase-suspended sector.
Figure 18.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 5 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 5 V
Figure 19.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F160DT75FI | Triple 3-Input Positive-AND Gates 14-TSSOP -40 to 85 |
| AM29F200AB-120FI | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| Am29F200AB-55SEB | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| AM29F200AB-55SI | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| Am29F200AB-55SIB | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AM29F160DT-90EE | 制造商:Spansion 功能描述:16M (2MX8/1MX16) 5V, BOOT BLOCK, TOP, TSOP48, EXT - Trays |
| AM29F160DT-90EF | 功能描述:闪存 16Mb 90ns 5V Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AM29F160DT-90EI | 功能描述:闪存 IC 16MX16, 3V 100K FLSH, BOTTM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AM29F200AB-120DPE1 | 制造商:Spansion 功能描述:5V 2M FLASH KNOWN GOOD DIE W/ BOTTOM BOOT (EXTENDED TEMP) - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| AM29F200AB-90SC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash, 128K x 16, 44 Pin, Plastic, SOP |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。