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参数资料
| 型号： | Am29F200AT-70FEB |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256亩x 8-Bit/128亩x 16位），5.0伏的CMOS只，引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 32/39页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | AM29F200AT-70FEB |
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32
Am29F200A
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μ
s
Note: The system may use OE# or CE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within the
erase-suspended sector.
20637B-21
Figure 17.
DQ2 vs. DQ6
Enter
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
Embedded
Erasing
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 5 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 5 V
20637B-22
Figure 18.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F200AT-70FI | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
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