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参数资料
| 型号： | Am29F200AT-70FEB |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256亩x 8-Bit/128亩x 16位），5.0伏的CMOS只，引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 33/39页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | AM29F200AT-70FEB |
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Am29F200A
33
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
-55
-70
-90
-120
-150
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
70
90
120
150
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
30
45
50
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
30
35
45
50
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation
(Note 2)
Byte
Typ
7
μ
s
Word
Typ
14
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1
sec
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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