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参数资料
| 型号： | AM29F200BT-90EF |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:2Mbit; Package/Case:48-TSOP; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:90ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封装： | LEAD FREE, MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件页数： | 20/41页 |
| 文件大小： | 818K |
| 代理商： | AM29F200BT-90EF |
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March 3, 2009 21526D5
Am29F200B
25
D A TA
SH EE T
AC CHARACTERISTICS
Read Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
Figure 9.
Read Operations Timings
Parameter
Description
Speed Options
JEDEC
Std
Test Setup
-45
-50
-55
-70
-90
-120
Unit
tAVAV
tRC
Read Cycle Time (Note 1)
Min
45
50
55
70
90
120
ns
tAVQV
tACC Address to Output Delay
CE# = VIL
OE# = VIL
Max
45
50557090
120
ns
tELQV
tCE
Chip Enable to Output Delay
OE# = VIL
Max
45
50557090
120
ns
tGLQV
tOE
Output Enable to Output Delay
Max
30
3030303550
ns
tEHQZ
tDF
Chip Enable to Output High Z
Max
20
2020202030
ns
tGHQZ
tDF
Output Enable to Output High Z
Max
20
2020202030
ns
tOEH
Output Enable
Hold Time
Read
Min
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
tAXQX
tOH
Output Hold Time From
Addresses, CE# or OE#,
Whichever Occurs First (Note 1)
Min
0
ns
tCE
Outputs
WE#
Addresses
CE#
OE#
HIGH Z
Output Valid
HIGH Z
Addresses Stable
tRC
tACC
tOEH
tOE
0 V
RY/BY#
RESET#
tDF
tOH
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