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参数资料
| 型号： | AM29F400BT-90SE |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（512亩x 8-Bit/256亩x 16位），5.0伏的CMOS只引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 25/43页 |
| 文件大小： | 548K |
| 代理商： | AM29F400BT-90SE |
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November1,2006 21505E5
Am29F400B
23
D A T A S H E E T
DC CHARACTERISTICS
TTL/NMOS Compatible
Notes:
1. The I
CC
current listed is typically less than 2 mA/MHz, with OE# at V
IH
..
2. Maximum I
CC
specifications are tested with V
CC
= V
CCmax
.
3. I
CC
active while Embedded Erase or Embedded Program is in progress.
4. Not 100% tested.
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
LI
Input Load Current
V
IN
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
max
±
1.0
μA
I
LIT
A9, OE#, RESET# Input Load
Current
V
CC
= V
CC max
;
A9, OE#, RESET# = 12.5 V
50
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC max
±
1.0
μA
I
CC1
V
CC
Active Read Current
(Notes 1, 2)
CE# = V
IL
,
OE# = V
IH
,
f
= 5 MHz, Byte Mode
19
40
mA
CE# = V
IL
,
OE#
=
V
IH
,
f
= 5 MHz, Word Mode
19
50
mA
I
CC2
V
CC
Active Write Current
(Notes 2, 3, 4)
CE# = V
IL
,
OE#
=
V
IH
36
60
mA
I
CC3
V
CC
Standby Current (Note 2)
CE#, RESET#, and OE# = V
IH
0.4
1
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
CC
+0.5
V
V
ID
Voltage for Autoselect and
Temporary Sector Unprotect
V
CC
= 5.0 V
11.5
12.5
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 5.8 mA, V
CC
= V
CC min
0.45
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –2.5 mA, V
CC
= V
CC min
2.4
V
V
LKO
Low V
CC
Lock-Out Voltage
3.2
4.2
V
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PDF描述 |
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