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参数资料
| 型号： | AM29F400BT-90SK0 |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（512亩x 8-Bit/256亩x 16位），5.0伏的CMOS只引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 28/43页 |
| 文件大小： | 548K |
| 代理商： | AM29F400BT-90SK0 |
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26
Am29F400B
21505E5 November1,2006
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Read Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See Figure 8 and Table 7 for test specifications.
Parameter
Description
Speed Options
JEDEC
Std
Test Setup
-45
-50
-55
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time (Note 1)
Min
45
50
55
70
90
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE# = V
IL
OE# = V
IL
Max
45
50
55
70
90
120
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE# = V
IL
Max
45
50
55
70
90
120
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max
30
30
30
30
35
50
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High Z
(Note 1)
Max
15
15
15
20
20
30
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High Z
(Note 1)
Max
15
15
15
20
20
30
ns
t
OEH
Output
Enable
Hold Time
(Note 1)
Read
Min
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From
Addresses, CE# or OE#,
Whichever Occurs First (Note
1)
Min
0
ns
t
CE
Outputs
WE#
Addresses
CE#
OE#
HIGH Z
Output Valid
HIGH Z
Addresses Stable
t
RC
t
ACC
t
OEH
t
OE
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
t
OH
Figure 9.
Read Operations Timings
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PDF描述 |
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