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参数资料
| 型号： | AM29F400BT-90SK0 |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（512亩x 8-Bit/256亩x 16位），5.0伏的CMOS只引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 36/43页 |
| 文件大小： | 548K |
| 代理商： | AM29F400BT-90SK0 |
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34
Am29F400B
21505E5 November1,2006
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
-45
-50
-55
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
45
50
55
70
90
120
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
25
25
30
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
30
30
30
35
45
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation
(Note 2)
Byte
Typ
7
μs
Word
Typ
12
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1
sec
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PDF描述 |
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