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参数资料
| 型号： | AM29F800B-70FEB |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1,048,576 x 8-Bit/524,288 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1,048,576 x 8-Bit/524，288 x 16位），5.0伏的CMOS只，扇区擦除闪存 |
| 文件页数： | 37/41页 |
| 文件大小： | 267K |
| 代理商： | AM29F800B-70FEB |
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Am29F800T/Am29F800B
37
P R E L I M I N A R Y
TSOP PIN CAPACITANCE
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions T
A
= 25
°
C, f = 1.0 MHz.
SO PIN CAPACITANCE
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions T
A
= 25
°
C, f = 1.0 MHz.
DATA RETENTION
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
6
7.5
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8.5
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
8
10
pF
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
6
7.5
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8.5
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
PP
= 0
8
10
pF
Parameter
Test Conditions
Min
Unit
Minimum Pattern Data Retention Time
150
°
C
10
Years
125
°
C
20
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