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参数资料
| 型号： | Am29LV001BT-45RFIB |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 1兆位（128亩× 8位）的CMOS 3.0伏，只引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 33/38页 |
| 文件大小： | 221K |
| 代理商： | AM29LV001BT-45RFIB |
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33
Am29LV001B
P R E L IM IN A R Y
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” Section for more information.
Parameter
-45
-55
-70
-90
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
45
55
70
90
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
35
45
45
45
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
20
20
35
45
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time (Note 1)
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
25
30
35
35
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Notes 1, 2)
Typ
9
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Notes 1, 2)
Typ
0.7
sec
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PDF描述 |
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