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参数资料
| 型号： | AM29LV004B-90ED |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 8 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO40 |
| 封装： | PLASTIC, TSOP-40 |
| 文件页数： | 21/36页 |
| 文件大小： | 459K |
| 代理商： | AM29LV004B-90ED |
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28
Am29LV004
PR EL I M I NAR Y
AC CHARACTERISTICS
OE#
CE#
Addresses
VCC
WE#
Data
2AAh
SA
tGHWL
tAH
tWP
tWC
tAS
tWPH
555h for chip erase
10 for Chip Erase
30h
tDS
tVCS
tCS
tDH
55h
tCH
In
Progress
Complete
tWHWH2
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
RY/BY#
tRB
tBUSY
Note: SA = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (see “Write Operation Status”).
21522A-17
Figure 15.
Chip/Sector Erase Operation Timings
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Am29LV400B-90RWACB | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| Am29LV400B-90RWAE | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| Am29LV400B-90RWAEB | CAP 0.47UF 50V +50-20% X7R SMD-0612 TR-7 PLATED-NI/SN HC-FEEDTHRU |
| Am29LV400BB70RWACB | Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:470pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:1206; Series:W3F; Leaded Process Compatible:Yes |
| Am29LV400BB70RWAE | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AM29LV004BB-120EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash, 512K x 8, 40 Pin, Plastic, TSSOP |
| AM29LV004BB-120EI | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash, 512K x 8, 40 Pin, Plastic, TSSOP |
| AM29LV004BB120EI\T | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:4 Mb (512K x 8) Boot Sector, Flash Memory |
| AM29LV004BB-120EIT | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| am29lv004bt-120ed | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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