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参数资料
| 型号： | Am29LV004BT-70EE |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 200pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 100V; Capacitance Tolerance: +/-5%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: C0G (NP0); Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.100" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.150" x 0.210" x 0.130"; Container: Bag; Qty per Container: 500 |
| 中文描述： | 4兆位（512亩× 8位）的CMOS 3.0伏，只引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 39/40页 |
| 文件大小： | 769K |
| 代理商： | AM29LV004BT-70EE |
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Am29LV004B
PHYSICAL DIMENSIONS*
TSR040—40-Pin Reverse TSOP
* For reference only. BSC is an ANSI standard for Basic Space Centering.
Dwg rev AA; 10/99
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PDF描述 |
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