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参数资料
| 型号： | AM29LV065DU90RFIN |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (8 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIOTM Control |
| 中文描述： | 64兆位（8米× 8位）的CMOS 3.0伏特，只有统一部门闪光控制记忆与VersatileIOTM |
| 文件页数： | 43/52页 |
| 文件大小： | 1184K |
| 代理商： | AM29LV065DU90RFIN |
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42
Am29LV065D
January 10, 2002
AC CHARACTERISTICS
OE#
CE#
WE#
Addresses
t
OEH
t
DH
t
AHT
t
ASO
t
OEPH
t
OE
Valid Data
(first read)
(second read)
(stops toggling)
t
CEPH
t
AHT
t
AS
DQ6/DQ2
Valid Data
Valid
Status
Valid
Status
Valid
Status
RY/BY#
Note:
VA = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last status
read cycle, and array data read cycle
Figure 19.
Toggle Bit Timings (During Embedded Algorithms)
Note:
DQ2 toggles only when read at an address within an erase-suspended sector. The system may use OE# or CE# to toggle
DQ2 and DQ6.
Figure 20.
DQ2 vs. DQ6
Enter
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
Embedded
Erasing
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PDF描述 |
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