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参数资料
| 型号： | AM29LV160DB-70EF |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 元件分类： | FLASH |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16Mb(2M×8位/1Mx16位), 3V, CMOS引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 43/52页 |
| 文件大小： | 844K |
| 代理商： | AM29LV160DB-70EF |
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22358B7
May 5, 2006
Am29LV160D
41
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 21. DQ2 vs. DQ6 for Erase and
Erase Suspend Operations
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
Figure 22. Temporary Sector Unprotect/Timing Diagram
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PDF描述 |
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