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参数资料
| 型号： | Am29LV641DH101RZE |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI Control |
| 中文描述： | 64兆位（4个M x 16位），3.0伏的CMOS只均匀部门闪光控制记忆与VersatileI |
| 文件页数： | 49/57页 |
| 文件大小： | 1467K |
| 代理商： | AM29LV641DH101RZE |
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48
Am29LV640D/Am29LV641D
September 20, 2002
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
RY/BY#
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
t
BUSY
Notes:
1. Figure indicates last two bus cycles of a program or erase operation.
2. PA = program address, SA = sector address, PD = program data.
3. DQ7# is the complement of the data written to the device. D
OUT
is the data written to the device.
4. Waveforms are for the word mode.
Figure 23.
Alternate CE# Controlled Write (Erase/Program) Operation Timings
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Am29LV640DL101RZE | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI Control |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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