- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录51256 > AM80912-015 (ADVANCED SEMICONDUCTOR INC) L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AM80912-015 |
| 厂商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | HERMETIC SEALED, FM-2 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 14K |
| 代理商： | AM80912-015 |
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1200 FAX (818) 765-3004
1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS TC = 25 °C
SYMBOL
NONETEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
UNITS
BVCBO
IC = 10 mA
55
V
BVCER
IC = 10 mA
RBE = 10
55
V
BVEBO
IE = 1 mA
3.5
V
ICES
VCE = 28 V
VBE = 0 V
2.0
mA
hFE
VCE = 5.0 V
IC = 500 mA
15
150
---
PG
ηηηη
C
VCC = 28 V
POUT = 15 W
f = 960 - 1215 MHz
PIN = 2.3 W
8.1
45
8.9
49
dB
%
Pulse format: 6.4 sec on 6.6 sec off, repeat for 3.3 ms, Then off for 4.5125 ms
Duty Cycle: Burst 49.2%, overall 20.8%
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
AM80912-015
DESCRIPTION:
The
ASI AM80912-015 is designed for
avionics applications, including JTIDS. It
is housed in a Hermetic Package.
FEATURES:
Internal Input/Output Matching Network
P
G = 8.1 dB at 15 W/ 1215 MHz
Omnigold Metalization System
28 V Operations
Common Base configuration
MAXIMUM RATINGS
IC
1.8 A
VCC
32 V
PDISS
50 W @ TC = 25 °C
TJ
-65 °C to +250 °C
TSTG
-65 °C to +200 °C
θθθθ
JC
3.0 °C/W
PACKAGE STYLE .310 2L FLG
MINIMUM
inches / mm
.100 / 2.54
.286 / 7.26
.306 / 7.77
B
C
D
E
F
G
A
MAXIMUM
.318 / 8.08
.306 / 7.77
inches / mm
H
DIM
K
L
I
J
.552 / 14.02
.300 / 7.62
.572 / 14.53
.320 / 8.13
P
N
M
.118 / 3.00
.003 / 0.08
.131 / 3.33
.006 / 0.15
.790 / 20.07
.810 / 20.57
.072 / 1.83
.148 / 3.76
.120 / 3.05
R
.052 / 1.32
.230 / 5.84
.095 / 2.41
.105 / 2.67
.050 / 1.27
.400 / 10.16
.119 / 3.02
.110 / 2.79
.130 / 3.30
I
G
C
D
F
E
N
H
4x .062 x 45°
R
P
M
L
J
K
2 x B
.040 x 45°
A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM81214-015 | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| AM81214-030 | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| AM81719-040 | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| AM82731-001 | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| AM82731-050 | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AM80912-030 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:AVIONICS APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
| AM80912-085 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:AVIONICS APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
| AM80A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Analog IC |
| AM80A-024L-065F27 | 功能描述:CONV DC-DC 240W 24VIN 6.5V 27A RoHS:否 类别:电源 - 板载 >> DC DC Converters 系列:AM80A 产品目录绘图:V(R,7)AH Series 标准包装:25 系列:V7AH 类型:非隔离（POL） 输出数:1 电压 - 输入（最小）:3V 电压 - 输入（最大）:5.5V Voltage - Output 1:1.8V Voltage - Output 2:- Voltage - Output 3:- 电流 - 输出（最大）:12A 电源（瓦） - 制造商系列:21W 电压 - 隔离:- 特点:具有远程开/关功能和 UVLO 安装类型:通孔 封装/外壳:5-SIP 模块 尺寸/尺寸:0.70" L x 0.31" W x 0.65" H（17.8mm x 7.9mm x 16.5mm） 包装:管件 工作温度:-40°C ~ 85°C 效率:87% 电源（瓦特）- 最大:21.6W 其它名称:507-1141-5 |
| AM80A-048L-012F60 | 功能描述:CONV DC-DC 240W 48VIN 1.2V 60A RoHS:否 类别:电源 - 板载 >> DC DC Converters 系列:AM80A 产品目录绘图:V(R,7)AH Series 标准包装:25 系列:V7AH 类型:非隔离（POL） 输出数:1 电压 - 输入（最小）:3V 电压 - 输入（最大）:5.5V Voltage - Output 1:1.8V Voltage - Output 2:- Voltage - Output 3:- 电流 - 输出（最大）:12A 电源（瓦） - 制造商系列:21W 电压 - 隔离:- 特点:具有远程开/关功能和 UVLO 安装类型:通孔 封装/外壳:5-SIP 模块 尺寸/尺寸:0.70" L x 0.31" W x 0.65" H（17.8mm x 7.9mm x 16.5mm） 包装:管件 工作温度:-40°C ~ 85°C 效率:87% 电源（瓦特）- 最大:21.6W 其它名称:507-1141-5 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。