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参数资料
| 型号： | AO3414L |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N沟道增强型场效应管 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | AO3414L |
AO3414
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
4
8
12
16
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=1.5V
2V
2.5V
8V
3V
4.5V
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
25°C
125°C
V
DS
=5V
20
40
60
80
100
0
4
8
12
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
V
GS
=1.8V
V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=1.8V
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
2
4
6
8
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
I
D
=4.2A
25°C
125°C
I
D
=4.2A
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO3420 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO3420L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| AO3422 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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