参数资料
型号: AO4404AL
厂商: ALPHA
英文描述: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: N沟道增强型场效应管
文件页数: 1/4页
文件大小: 139K
代理商: AO4404AL
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
37
70
26
Max
45
100
36
R
θ
JL
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
10s
Steady-State
R
θ
JA
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
V
V
±12
8.5
7.1
60
2.8
1.8
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Drain-Source Voltage
I
D
Maximum
30
Units
T
A
=25°C
T
A
=70°C
W
A
P
D
°C
-55 to 150
AO4404A
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 24m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 30m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 48m
(V
GS
= 2.5V)
General Description
The AO4404A uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications. The source leads are separated to allow
a Kelvin connection to the source, which may be
used to bypass the source inductance.
Standard
Product AO4404A is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications). AO4404AL is a Green Product
ordering option. AO4404A and AO4404AL are
electrically identical.
SOIC-8
G
S
S
S
D
D
D
D
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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