型号: | AO4411 |
厂商: | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 8000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | GREEN, SOIC-8 |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 254K |
代理商: | AO4411 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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AO4413 | 15000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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AO4430L | 30 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
AO4430 | 30 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
AO4435 | 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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AO4411_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
AO4411L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AO4412 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AO4412L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AO4413 | 功能描述:MOSFET P CH 30V 15A SOIC 8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |