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参数资料
| 型号： | AO4435 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | AO4435 |
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAR
EAR
TJ, TSTG
Parameter
Symbol
Typ
Max
t
≤ 10s
32
40
Steady State
60
75
Steady State
RθJL
17
24
A
mJ
°C
-55 to 150
-20
60
W
±25
-80
A
V
-10.5
-8
3.1
2.0
Maximum Junction-to-Lead
C
°C/W
Thermal Characteristics
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
°C/W
RθJA
-30
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
Continuous Drain
Current
A
Units
Parameter
TA=25°C
TA=70°C
V
Maximum
ID
Gate-Source Voltage
PD
Power Dissipation
A
TA=25°C
Drain-Source Voltage
Pulsed Drain Current
B
Junction and Storage Temperature Range
TA=70°C
Avalanche Current
B
Repetitive avalanche energy 0.3mH
B
AO4435
30V P-Channel MOSFET
Product Summary
VDS = -30V
ID = -10.5A
(VGS = -20V)
RDS(ON) < 14m (VGS = -20V)
RDS(ON) < 18m (VGS = -10V)
RDS(ON) < 36m (VGS = -5V)
100% UIS Tested
100% Rg Tested
General Description
The AO4435 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge
with a 25V gate rating. This device is suitable for use as
a load switch or in PWM applications.
-RoHS Compliant
-AO4435 is Halogen Free
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4437 | 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4468 | 10500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4496 | 10000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4912 | 30 V, 0.026 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AO4914 | 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4435_102 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 11A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| AO4435_103 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 11A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| AO4435_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AO4435L_102 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 11A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| AO4437 | 功能描述:MOSFET P-CH -12V -11A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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