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参数资料
| 型号： | AO4496 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 10000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | AO4496 |
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAR
EAR
TJ, TSTG
Parameter
Symbol
Typ
Max
t
≤ 10s
31
40
Steady State
59
75
Steady State
RθJL
16
24
Maximum
10
7.5
3.1
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
G
mJ
50
A
17
14
Pulsed Drain Current
B
Avalanche Current
G
Continuous Drain
Current
A
Power Dissipation
A
TA=25°C
Junction and Storage Temperature Range
TA=70°C
Units
Parameter
TA=25°C
TA=70°C
V
ID
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
30
Absolute Maximum Ratings TJ=25°C unless otherwise noted
PD
Maximum Junction-to-Lead
C
°C/W
Thermal Characteristics
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
W
±20
°C/W
RθJA
°C
-55 to 150
2.0
AO4496
30V N-Channel MOSFET
Product Summary
VDS (V) = 30V
ID = 10A
(VGS = 10V)
RDS(ON) < 19.5m
(VGS = 10V)
RDS(ON) < 26m
(VGS = 4.5V)
100% UIS Tested
100% Rg Tested
General Description
The AO4496 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This
device is suitable for use as a DC-DC converter
application.
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4912 | 30 V, 0.026 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| AOL1412 | 85 A, 30 V, 0.0046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AO4498E | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO4498EL | 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2760pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.8 毫欧 @ 18A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 标准包装:3,000 |
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