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参数资料
| 型号： | AO4418 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N沟道增强型场效应管 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | AO4418 |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
31
59
16
Max
40
75
24
R
θ
JL
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
V
V
±25
11.5
9.7
40
3
2.1
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Drain-Source Voltage
Maximum
30
Units
T
A
=25°C
T
A
=70°C
W
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO4418
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 11.5A (V
GS
= 20V)
R
DS(ON)
< 14m
(V
GS
= 20V)
R
DS(ON)
< 17m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 40m
(V
GS
= 4.5V)
General Description
The AO4418 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
Standard Product AO4418 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4418L
is a Green Product ordering option. AO4418 and
AO4418L are electrically identical.
SOIC-8
G
S
S
S
D
D
D
D
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4418L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4421 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4421L | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| AO4422AL | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
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