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参数资料
| 型号： | AO4429L |
| 厂商： | ALPHA |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 的P -沟道增强型场效应晶体管 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | AO4429L |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
26
50
14
Max
40
75
24
R
θ
JL
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
3.1
2
-55 to 150
T
A
=70°C
I
D
-15
-12.8
-80
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
Continuous Drain
Current
A
Maximum
-30
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
±20
Gate-Source Voltage
°C/W
°C/W
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
t
≤
10s
R
θ
JA
AO4429
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -15 A (V
GS
= -10V)
Max R
DS(ON)
< 7.7m
(V
GS
= -10V)
Max R
DS(ON)
< 12m
(V
GS
= -4.5V)
ESD Rating: 4KV HBM
General Description
The AO4429 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, and ultra-low low gate
charge. This device is suitable for use as a load
switch. The device is ESD protected.
Standard
Product AO4429 is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications). AO4429L is a Green Product
ordering option. AO4429 and AO4429L are
electrically identical.
SOIC-8
Top View
G
S
S
S
D
D
D
D
D
S
G
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| AO4437 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4437L | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| AO4438L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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