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参数资料
| 型号： | AO4444L |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N沟道增强型场效应管 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | AO4444L |
AO4444
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
0
0.001
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note F)
P
C
oss
C
rss
V
DS
=15V
I
D
=20A
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
V
DS
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
μ
s
10ms
1ms
0.1s
1s
10s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=40°C/W
T
on
T
P
D
Single Pulse
10
μ
s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4446 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4446L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4447 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4447L | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4449 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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