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参数资料
| 型号： | AO4459 |
| 厂商： | ALPHA |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 的P -沟道增强型场效应晶体管 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | AO4459 |
AO4459
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
I
F
=-6.5A, dI/dt=100A/
μ
s
6
THR
COMPO60
OUT OF 40
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
20
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
-
D
-4V
-4.5V
-10V
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
-V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
25°C
125°C
V
DS
=-5V
-40°C
20
40
60
80
100
0
2
4
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
R
D
)
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V
1E-06
1E-05
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-
S
125°C
-40°C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
0
50
100
150
200
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
80
100
120
140
160
-V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
D
)
I
D
=-6.5A
25°C
125°C
-40°C
-5V
V
GS
=-3.5V
-8V
V
GS
=-10V
I
D
=-6.5A
V
GS
=-4.5V
I
D
=-5A
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述 |
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