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参数资料
| 型号： | AO4459 |
| 厂商： | ALPHA |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 的P -沟道增强型场效应晶体管 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | AO4459 |
AO4459
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
I
F
=-6.5A, dI/dt=100A/
μ
s
-V
DS
(Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DP
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO T
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHSingle Pulse
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
-Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
-
G
0
200
400
600
800
1000
1200
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
C
oss
C
rss
0
0.001
10
20
30
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance(Note E)
Z
0.1
1
10
100
0.1
1
-
D
100
μ
s
10ms
1ms
100ms
1s
10s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
V
DS
=-15V
I
D
=-6.5A
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=75°C/W
on
T
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述 |
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