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参数资料
| 型号： | AO4472 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N沟道增强型场效应管 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | AO4472 |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
31
59
16
Max
40
75
24
R
θ
JL
W
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
3
2.1
-55 to 150
T
A
=70°C
I
D
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Maximum
30
±20
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
19
16
80
°C/W
°C/W
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Power Dissipation
T
A
=25°C
Gate-Source Voltage
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
AO4472
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 19A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 5.2m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 7.2m
(V
GS
= 4.5V)
General Description
The AO4472 uses advanced trench technology to provide
excellent R
DS(ON)
, shoot-through immunity, body diode
characteristics and ultra-low gate resistance. This device is
ideally suited for use as a low side switch in Notebook CPU
core power conversion.
Standard Product AO4472 is Pb-
free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4472L is
a Green Product ordering option. AO4472 and AO4472L
are electrically identical.
SOIC-8
G
S
S
S
D
D
D
D
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4474 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4476 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4480 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4600 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4600L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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