| 型号: | AO4612L |
| 厂商: | ALPHA |
| 英文描述: | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述: | 增强模式互补场效应晶体管 |
| 文件页数: | 3/7页 |
| 文件大小: | 144K |
| 代理商: | AO4612L |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4613 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4613 | 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 7.2/6.1A 8SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| AO4613_001 | 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 7.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| AO4613_10 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Dual P N-Channel MOSFET |
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| AO4614 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |