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参数资料
| 型号： | AO4616 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 增强模式互补场效应晶体管 |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | AO4616 |
AO4616
P-CH TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTIC
S
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
24
28
32
-Q
g
(nC)
Figure 22: Gate-Charge Characteristics
-
G
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
2250
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
(Volts)
Figure 23: Capacitance Characteristics
C
C
iss
0
0.001
10
20
30
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 25: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 26: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
C
oss
C
rss
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
-V
DS
(Volts)
-
D
Figure 24: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
μ
s
10ms
1ms
0.1s
1s
10s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C, T
A
=25°C
V
DS
=-15V
I
D
=-7.1A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=62.5°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
10
μ
s
T
on
T
P
D
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述 |
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