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参数资料
| 型号： | AO4616L |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 增强模式互补场效应晶体管 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | AO4616L |
AO4616
N-CH TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTIC
S
2
24
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR US25°C
CR
OUT OF20
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=3V
3.5V
4V
4.5V
10V
0.00E+00
4.00E+00
8.00E+00
1.20E+01
1.60E+01
2.00E+01
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
14
16
18
20
22
24
26
28
0
5
10
15
20
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
V
GS
=10V
I
D
=8.1A
V
GS
=4.5V
I
D
=6A
10
30
40
50
2
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=8.1A
25°C
125°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述 |
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| AO4619L | 制造商:AOS 功能描述:MOSFET |
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