- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375332 > AO4617 (ALPHA) Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AO4617 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 增强模式互补场效应晶体管 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | AO4617 |
AO4617
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=3.5V
4V
10V
5V
4.5V
0
5
10
15
20
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
-40°C
20
30
40
50
0
5
10
15
20
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
25°C
125°C
-40°C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
V
GS
=10V
I
D
=6A
V
GS
=4.5V
I
D
=5A
10
20
30
40
50
60
70
2
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=6A
25°C
125°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4619 | Diode; Antenna switching; VR (V): 60; IF (mA): 50; Pd (mW): 150; rf (ohm) max: 1.8; Condition IF at rf (mA): 10; Condition f at rf (MHz): 100; VF (V) max: 0.9; Condition IF at VF (mA): 2; C (pF) max: 0.45; Condition VR at C (V): 1; Condition f at C (MHz): 1; Package: SFP |
| AO4620 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4621 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4622 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4624 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4618 | 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8/7A 8SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| AO4619 | 功能描述:MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| AO4619L | 制造商:AOS 功能描述:MOSFET |
| AO4620 | 功能描述:MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| AO4620_12 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。