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参数资料
| 型号： | AO6808 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 780pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AO6808
20V Dual N-Channel MOSFET
General Description
The AO6808 uses advanced trench technology to provide excellent
Product Summary
V DS = 20V
R DS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as
I D = 6A
(V GS = 4.5V)
2.5V. This device is suitable for use as a load switch. It is ESD
protected.
TSOP6
Top View
Bottom View
Top View
R DS(ON) = 19m
R DS(ON) = 20m
R DS(ON) = 21m
R DS(ON) = 23m
D1
(typical)
(typical)
(typical)
(typical)
(V GS = 4.5V)
(V GS = 4.0V)
(V GS = 3.1V)
(V GS = 2.5V)
D2
S1
D1/D2
S2
1
2
3
6
5
4
G1
D1/D2
G2
G1
G2
Pin
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
S1
S2
Parameter
Symbol
10 Sec
Steady State
Units
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
T A =25°C
V DS
V GS
6
20
±12
4.6
V
V
Current A
Pulsed Drain Current
Power Dissipation A
B
T A =70°C
T A =25°C
T A =70°C
I D
I DM
P D
4.6
1.3
0.8
60
3.7
0.8
0.5
A
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Lead C
t ≤ 10s
Steady State
Steady State
R θ JA
R θ JL
76
118
54
95
150
68
°C/W
°C/W
°C/W
Rev.1.0: February 2014
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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