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参数资料
| 型号： | AOB411L |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 8A TO263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6400pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AOB411L
60V P-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
The AOB411L combines advanced trench MOSFET
technology with a low resistance package to provide
extremely low R DS(ON) .This device is ideal for boost
converters and synchronous rectifiers for consumer,
telecom, industrial power supplies and LED backlighting.
V DS
I D (at V GS =-10V)
R DS(ON) (at V GS =-10V)
R DS(ON) (at V GS =-4.5V)
-60V
-78A
< 16.5m ?
< 22m ?
100% UIS Tested
100% R g Tested
D
G
S
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Maximum
-60
±20
Units
V
V
Continuous Drain
Current
Pulsed Drain Current C
Continuous Drain
Current
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
I D
I DM
I DSM
-78
-55
-230
-8
-6.5
A
A
Avalanche Current C
Avalanche energy L=0.1mH C
I AS , I AR
E AS , E AR
-77
296
A
mJ
Power Dissipation
B
T C =25°C
T C =100°C
P D
187
93
W
Power Dissipation A
T A =25°C
T A =70°C
P DSM
2.1
1.3
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 175
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Case
A
AD
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R θ JA
R θ JC
11
47
0.6
15
60
0.8
°C/W
°C/W
°C/W
Rev 0: Mar. 2011
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AOB411L_001 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta），78A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak） 标准包装:1 |
| AOB412L | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SDMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOB414 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SDMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOB414_001 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.6A（Ta），51A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak） 标准包装:1 |
| AOB414L | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
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