- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录394 > AON2405 (Alpha & Omega Semiconductor Inc)MOSFET P CH 20V 8A DFN 2x2B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | AON2405 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P CH 20V 8A DFN 2x2B |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1025pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN-EP（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1392-6 |
AON2405
20V P-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
The AON2405 combines advanced trench MOSFET
technology with a low resistance package to provide
extremely low R DS(ON) . This device is ideal for load switch
and battery protection applications.
V DS
I D (at V GS =-4.5V)
R DS(ON) (at V GS =-4.5V)
R DS(ON) (at V GS =-2.5V)
-20V
-8A
< 32m ?
< 41m ?
DFN 2x2B
R DS(ON) (at V GS =-1.8V)
R DS(ON) (at V GS =-1.5V)
< 56m ?
< 70m ?
D
Top View
Bottom View
D
S
D
S
D
Pin 1
Pin 1
G
D
D
G
S
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Maximum
-20
±8
Units
V
V
Continuous Drain
Current G
Pulsed Drain Current
Power Dissipation A
C
T A =25°C
T A =70°C
T A =25°C
T A =70°C
I D
I DM
P D
-8
-6
-32
2.8
1.8
A
A
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A D
t ≤ 10s
Steady-State
R θ JA
37
66
45
80
°C/W
°C/W
Rev 2 : Sep. 2012
www.aosmd.com
Page 1 of 5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AON6232 | MOSFET N CH 40V 85A DFN5X6 |
| AON6244 | MOSFET N CH 60V 85A DFN5X6 |
| AON6918 | MOSF 2N CH 25V 60/85A DFN5X6A |
| AON7421 | MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP |
| AON7423 | MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AON2406 | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN EP T/R 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 20V 8A 6LDFN |
| AON2407 | 功能描述:MOSFET P CH 30V 6.3A DFN 2x2B RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AON2408 | 功能描述:MOSFET N CH 20V 8A DFN 2x2B RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AON2409 | 功能描述:MOSFET P CH 30V 8A DFN 2x2B RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AON2410 | 功能描述:MOSFET N CH 30V 8A DFN 2x2B RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。