- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录394 > AON7421 (Alpha & Omega Semiconductor Inc)MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | AON7421 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 114nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4550pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 6.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1309-6 |
AON7421
20V P-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
The AON7421 combines advanced trench MOSFET
technology with a low resistance package to provide
extremely low R DS(ON) . This device is ideal for load switch
and battery protection applications.
V DS
I D (at V GS =-10V)
R DS(ON) (at V GS =-10V)
R DS(ON) (at V GS =-4.5V)
R DS(ON) (at V GS =-2.5V)
-20V
-50A
< 4.6m ?
< 5.8m ?
< 9.0m ?
100% UIS Tested
100% R g Tested
DFN 3.3x3.3 EP
Top View
Bottom View
1
2
3
Top View
8
7
6
D
Pin 1
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
4
5
G
S
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Maximum
-20
±12
Units
V
V
Continuous Drain
Current G
Pulsed Drain Current C
Continuous Drain
Current
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
I D
I DM
I DSM
-50
-39
-200
-30
-24.5
A
A
Avalanche Current C
Avalanche energy L=0.1mH C
I AS
E AS
50
125
A
mJ
Power Dissipation
Power Dissipation
B
A
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
P D
P DSM
83
33
6.2
4
W
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient A
AD
Maximum Junction-to-Case
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R θ JA
R θ JC
16
45
1.1
20
55
1.5
°C/W
°C/W
°C/W
Rev.2.0: May 2013
www.aosmd.com
Page 1 of 6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AON7423 | MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP |
| AON7426 | MOSFET N-CH 30V 18A DFN3X3 |
| AON7460 | MOS N CH 300V 4A DFN3X3A_EP |
| AOT1606L | MOSFET N-CH 60V 178A TO220 |
| AOT4N60 | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AON7422 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AON7422E | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A DFN3X3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AON7422E_101 | 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta），40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2940pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），36W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3） 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 标准包装:5,000 |
| AON7422G | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:60nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:28W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.6 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3） 封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:5,000 |
| AON7423 | 功能描述:MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。