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参数资料
| 型号： | AOT1606L |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 178A TO220 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 178A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.3 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 102nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 785-1411-5 |
AOT1606L/AOB1606L
60V N-Channel Rugged Planar MOSFET
General Description
Product Summary
The AOT1606L/AOB1606L uses a robust technology that
is designed to provide efficient and reliable power
conversion even in the most demanding applications,
including motor control. With low R DS(ON) and excellent
V DS
I D (at V GS =10V)
R DS(ON) (at V GS =10V)
60V
178A
< 6.3m ?
thermal capability this device is appropriate for high
current switching and can endure adverse operating
conditions.
100% UIS Tested
100% R g Tested
Top View
TO220
Bottom View
Top View
TO-263
D 2 PAK
Bottom View
D
D
D
D
D
G
G
D
S
S
D
G
G
S
S
G
S
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Maximum
60
±20
Units
V
V
Continuous Drain
Current G
Pulsed Drain Current C
Continuous Drain
Current
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
I D
I DM
I DSM
178
126
310
12
10
A
A
Avalanche Current C
Avalanche energy L=0.1mH C
I AS , I AR
E AS , E AR
125
781
A
mJ
Power Dissipation B
Power Dissipation A
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
P D
P DSM
417
208
2.1
1.3
W
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 175
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A D
Maximum Junction-to-Case
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R θ JA
R θ JC
12
48
0.3
15
60
0.36
°C/W
°C/W
°C/W
Rev0: May 2011
www.aosmd.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOT4N60 | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 |
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| APA3010F3C-GX | INFRARED EMITTING DIODE 940NM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AOT1608L | 功能描述:MOSFET N CH 60V 140A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOT16N50 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 16A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOT1N60 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOT20B65M1 | 功能描述:IGBT 650V 20A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.15V @ 15V，20A 功率 - 最大值:227W 开关能量:470μJ（开），270μJ（关） 输入类型:标准 栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/122ns 测试条件:400V，20A，15 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:322ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 |
| AOT20C60 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Plastic Encapsulated Device |
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